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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明具有：处理容器，其具有处理基板的第1区域、未配置基板的第2区域；第1供给部，其向第1区域供给处理气体；第2供给部，其向处理容器的第2区域供给吸附阻碍气体；第1供给系统，其向第1供给部供给处理气体；第2供给系统，其向第2供给部供给吸附阻碍气体；以及控制部，其控制第1供给系统和第2供给系统，以便进行吸附阻碍气体供给工序以及处理气体供给工序，其中，吸附阻碍气体供给工序是向第2区域供给吸附阻碍气体的工序，处理气体供给工序是在吸附阻碍气体供给工序之后，将处理气体供给至第1区域的工序。
主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其具有处理基板的第1区域、未配置上述基板的第2区域；第1供给部，其向上述处理容器的上述第1区域供给处理气体；第2供给部，其向上述处理容器的上述第2区域供给吸附阻碍气体；第1供给系统，其向上述第1供给部供给上述处理气体；第2供给系统，其向上述第2供给部供给上述吸附阻碍气体；以及控制部，其控制上述第1供给系统和上述第2供给系统，以便进行吸附阻碍气体供给工序以及处理气体供给工序，其中，上述吸附阻碍气体供给工序是向上述第2区域供给上述吸附阻碍气体的工序，上述处理气体供给工序是在上述吸附阻碍气体供给工序之后，将上述处理气体供给至上述第1区域的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序
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