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申请/专利权人：西南科技大学
摘要：本发明公开了一种用于智能螺栓的ZnO压电薄膜制备方法，包括以下步骤：S1：对基片进行清洗处理，得到清洗后的基片样品；S2：对清洗后的基片样品刻蚀处理，得到刻蚀后的样品；S3：使用磁控溅射薄膜沉积系统，在刻蚀后的样品上沉积ZnO薄膜；S4：使用硬掩模板和导电银浆制备电极。本发明首次使用磁控溅射不同功率薄膜叠加工艺，实现了压电系数显著提升；采用银浆厚电极提升了压电薄膜和基底之间的绝缘性。
主权项：1.一种用于智能螺栓的ZnO压电薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：S1：对基片进行清洗处理，得到清洗后的基片样品；S2：对清洗后的基片样品刻蚀处理，得到刻蚀后的样品；S3：使用磁控溅射薄膜沉积系统，在刻蚀后的样品上沉积ZnO薄膜，包括：首先为真空腔通入氮气破坏真空打开腔室，安装ZnO陶瓷靶材，将样品固定，真空度达到后，打开真空计，打开氩气阀门流量调为78-82sccm，打开混气室阀门将氧气流量为19-21sccm，调节闸板阀将溅射气压调至2.1-2.8Pa，将电源功率设置为200W溅，打开电源、关闭挡板溅射15-20分钟；关闭电源休息30分钟后再打开电源，启辉后将气压调到1.4-1.6Pa后再打开挡板开始溅射27-29分钟，其中每隔5分钟休息5-10分钟，重复操作后，分别将功率设置为200W溅射64-66分钟，将功率设置为100W溅射100-102分钟，沉积完成后关闭氩气罚、混气阀、真空计等待30分钟后通入氮气打开腔室取出样品；S4：使用硬掩模板和导电银浆制备电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南科技大学 一种用于智能螺栓的ZnO压电薄膜制备方法
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