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申请/专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构和PFC电路，其中，该半导体结构包括：衬底；第一沟道层，位于衬底的一侧；介质层，位于第一沟道层的远离衬底的一侧；栅极，位于介质层的远离衬底的部分表面上；源极，从介质层的远离衬底的部分表面上经过介质层的一个侧面延伸到第一沟道层的部分侧面上，源极位于栅极的一侧，且与栅极不接触；漏极，从介质层的远离衬底的部分表面上经过介质层的另一个侧面延伸到第一沟道层的部分侧面上，漏极位于栅极的另一侧，且与栅极不接触。通过本申请，解决了现有技术中传统的AlGaNGaN界面的载流子浓度低导致器件的电流密度较低的问题。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一沟道层，位于所述衬底的一侧；介质层，位于所述第一沟道层的远离所述衬底的一侧；栅极，位于所述介质层的远离所述衬底的部分表面上；源极，从所述介质层的远离所述衬底的部分表面上经过所述介质层的一个侧面延伸到所述第一沟道层的部分侧面上，所述源极位于所述栅极的一侧，且与所述栅极不接触；漏极，从所述介质层的远离所述衬底的部分表面上经过所述介质层的另一个侧面延伸到所述第一沟道层的部分侧面上，所述漏极位于所述栅极的另一侧，且与所述栅极不接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 半导体结构和PFC电路
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