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申请/专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管。所述发光二极管外延结构包括：第一型限制层、第二型限制层以及发光层。发光层设置于第一型限制层和第二型限制层之间。其中，第一型限制层包括：沿远离发光层的方向交替层叠的多个非掺杂限制子层和多个掺杂限制子层。多个掺杂限制子层的掺杂浓度沿远离发光层的方向逐渐增大。上述发光二极管可以提高发光二极管的发光强度，同时也可以更好的阻止掺杂元素扩散进入发光层，进而防止掺杂元素扩散引起的寿命衰减。
主权项：1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，包括：第一型限制层；第二型限制层；发光层，设置于所述第一型限制层和所述第二型限制层之间；其中，所述第一型限制层包括：沿远离所述发光层的方向交替层叠的多个非掺杂限制子层和多个掺杂限制子层；多个所述掺杂限制子层的掺杂浓度沿远离所述发光层的方向逐渐增大。
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百度查询： 重庆康佳光电科技有限公司 发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管
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