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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括硅衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的Ta2O5层、SiN层、第一应力补偿层和第二应力补偿层，所述第一应力补偿层包括交替层叠的BGaN层和第一GaN层；所述第二应力补偿层包括交替层叠的AlGaN层和第二GaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、波长均匀性。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括硅衬底，依次层叠于所述硅衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的Ta2O5层、SiN层、第一应力补偿层和第二应力补偿层，所述第一应力补偿层包括交替层叠的BGaN层和第一GaN层；所述第二应力补偿层包括交替层叠的AlGaN层和第二GaN层。
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权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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