买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
摘要:本发明涉及半导体材料的技术领域,公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法,所述外延片包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层、不掺杂的U‑GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层;其中,所述欧姆接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的Si3N4层、三维InN层、金属反射层、P型掺杂AlxInyGa1‑x‑yN层和P型掺杂AlaInbGa1‑a‑bN层。实施本发明的外延片,可以改善晶体质量,增加欧姆接触,降低工作电压,并破坏光线在LED内部的全反射,增加了空穴浓度,有效地提升了发光效率和抗静电能力。
主权项:1.一种发光二极管的外延片,其特征在于,包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层、不掺杂的U-GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层;其中,所述欧姆接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的Si3N4层、三维InN层、金属反射层、P型掺杂AlxInyGa1-x-yN层和P型掺杂AlaInbGa1-a-bN层;所述P型掺杂AlxInyGa1-x-yN层中的掺杂浓度小于所述P型掺杂AlaInbGa1-a-bN层的掺杂浓度;x>a,y<b。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。