龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积ITO层，对ITO层进行粗化处理；对局部的ITO层进行刻蚀，直至暴露出n型GaN层，从而形成n型GaN台阶；在ITO层上旋涂AgNWs‑PSSNa前驱体溶液，从而形成规则网状结构的AgNWs薄膜，ITO层与AgNWs薄膜组成复合导电层；在n型GaN台阶上沉积n型电极，在复合导电层上沉积p型电极；在氮气环境中进行退火，得到发光二极管芯片。本发明能够提高复合导电层的电子传输以及注入效率，与传统ITO层相比，复合导电层在等同厚度下具有更低的电阻。
主权项：1.一种发光二极管芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上沉积外延层，其中，所述外延层自下而上依次包括缓冲层、n型GaN层、有源层及p型GaN层；在所述外延层上沉积ITO层，对所述ITO层进行粗化处理；对局部的所述ITO层进行刻蚀处理，直至暴露出所述n型GaN层，从而形成n型GaN台阶；在所述ITO层上旋涂AgNWs-PSSNa前驱体溶液，从而形成规则网状结构的AgNWs薄膜，所述ITO层与所述AgNWs薄膜组成复合导电层；其中，所述AgNWs-PSSNa前驱体溶液由AgNWs液态分散体掺杂聚苯乙烯磺酸钠溶液制得；在所述n型GaN台阶上沉积n型电极，在所述复合导电层上沉积p型电极；在氮气环境中进行退火，得到发光二极管芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号