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申请/专利权人：贵州师范大学
摘要：本发明属于半导体二维材料的CVD制备技术领域，公开了一种低温CVD生长厘米级二维硒化钯材料的方法及其应用，包括以下步骤：S1、钯前驱体溶液的配置；S2、基片的亲水处理；S3、钯前驱体溶液的旋涂；S4、钯前驱体颗粒的退火处理；S5、钯前驱体颗粒的硒化处理；S6、硒化钯的驱动生长；还公开一种低温CVD生长厘米级二维硒化钯材料的方法制备得到的厘米级二维硒化钯材料在薄膜场效应晶体管器件中的应用；还公开了一种低温CVD生长厘米级二维硒化钯材料的方法制备得到的厘米级二维硒化钯材料在柔性忆阻器中的应用；低温下制备获得一种材料膜层致密且均匀、热稳定性强、空气稳定性高的二维硒化钯薄膜样品，且可调控二维硒化钯样品的厚度以及硒化钯的相结构。
主权项：1.一种低温CVD生长厘米级二维硒化钯材料的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、钯前驱体溶液的配置：将钯前驱体溶解在溶剂中，获得钯前驱体溶液；S2、基片的亲水处理：采用紫外臭氧、或氧离子体、或食人鱼溶液对基片表面进行亲水处理；S3、钯前驱体溶液的涂抹：将在S1步骤中得到的钯前驱体溶液涂抹在S2步骤中得到的基片上；S4、钯前驱体颗粒的退火处理：将在S3步骤中获得的基片放置在管式炉中央位置并进行退火处理，用于将钯前驱体颗粒固定在基片上；S5、钯前驱体颗粒的硒化处理：在管式炉中放置硒粉，并检查管式炉的气密性，同时向管式炉内通入氩气和氢气作为载气；S6、硒化钯的驱动生长：控制管式炉内温度，使管式炉内温度由室温升至预设温度或最高温度，后使管式炉进入保温状态，最后关闭温度控制，待基片自然冷却至室温后取出，即可获得生长在基片上的二维硒化钯薄膜样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州师范大学 一种低温CVD生长厘米级二维硒化钯材料的方法及其应用
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