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基于SOI工艺的带隙基准电路 

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申请/专利权人:苏州汉天下电子有限公司

摘要:本申请涉及一种基于SOI工艺的带隙基准电路。本申请实施例的基于SOI工艺的带隙基准电路包括:启动电路,被配置为在带隙基准电路上电时产生并输出瞬时驱动信号,以使带隙基准电路脱离零电流平衡状态;并在带隙基准电路产生并输出基准输出电压后,启动电路关闭以停止输出瞬时驱动信号;以及带隙基准核心电路,被配置为在瞬时驱动信号的驱动下启动,并基于SOI工艺形成的横向结构PN结二极管产生并输出基准输出电压;带隙基准核心电路包括高偏置提供模块,被配置为产生高偏置电压以施加给横向结构PN结二极管,使得横向结构PN结二极管工作在高偏置电压状态。本申请实施例提高了横向结构PN结二极管不同温度下电特性一致性,保证其工作在稳定可靠的状态,提高了基于SOI工艺的带隙基准电路的稳定性能。

主权项:1.一种基于SOI工艺的带隙基准电路,其特征在于,所述基于SOI工艺的带隙基准电路包括:启动电路,被配置为在所述带隙基准电路上电时产生并输出瞬时驱动信号,以使所述带隙基准电路脱离零电流平衡状态;并在所述带隙基准电路产生并输出基准输出电压后,所述启动电路关闭以停止输出所述瞬时驱动信号;以及带隙基准核心电路,被配置为在所述瞬时驱动信号的驱动下启动,并基于SOI工艺形成的横向结构PN结二极管产生并输出所述基准输出电压;所述带隙基准核心电路包括高偏置提供模块,被配置为产生高偏置电压以施加给所述横向结构PN结二极管,使得所述横向结构PN结二极管工作在高偏置电压状态。

全文数据:

权利要求:

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