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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种频率可调的频率‑极化双模VO2毫米波太赫兹超表面单元，主要解决现有超表面单元功能单一且不可调控的问题，以及规避现有二氧化钒激励方式复杂且需要高精度的问题。该单元包括地板1、衬底2，衬底上分别涂覆开口环3，极化开关4，频率微扰开关5和离散贴片环6，极化开关4与开口环3形成完整的圆环且外半径小于频率微扰开关5的内半径，离散贴片环6的宽度范围处于频率微扰开关5的宽度范围之内。本发明能实现一个单元调控两种电磁特性的功能，并且只需对单元进行整体加热即可实现单元功能，可用于太赫兹通信、毫米波通信以及6G通信。
主权项：1.一种频率可调的频率-极化双模VO2毫米波太赫兹超表面单元，包括地板1，衬底2，衬底2上分别涂覆开口环3、极化开关4、频率微扰开关5以及离散贴片环6，其特征在于：所述极化开关4位于开口环3的开口上，将开口环3的开口处空间填满，形成完整的圆环，该圆环外半径小于频率微扰开关5内半径，R1+R2＜R3，R1为开口环3和极化开关4构成圆环的内半径，R2为开口环3和极化开关4构成圆环的宽度，R3为频率微扰开关5的内半径；所述极化开关4和频率微扰开关5采用二氧化钒材料；所述离散贴片环6由多个贴片组成，所有贴片等间距均匀分布且关于衬底2的顶面中心点对称；所述离散贴片环6穿过并有部分镶嵌于频率微扰开关5中，离散贴片环6的宽度不超过频率微扰开关5的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 频率可调的频率-极化双模VO2毫米波/太赫兹超表面单元
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