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申请/专利权人：江苏穿越光电科技有限公司

摘要：本申请公开了公开了一种用于全彩显示的RGB混合集成Micro‑LED芯片阵列的制备方法。本方案中，芯片的结构设计采用RGB集成的方式，红蓝绿三种LED用于独立单色显示，进而使所述Micro‑LED芯片阵列实现可控的全彩显示。其次，GaN蓝光显示器件采用侧壁倾斜的设计，有利于蓝光的光提取。再者，侧壁铝金属反射镜、各显色器件的金属反射电极以及电极反射镜共同组成RGB混合集成Micro‑LED芯片的内部反射系统；所述内部反射系统可使GaN蓝光显示器件，钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件内部产生的光在芯片内部充分调和，同时提高了底部出光面的光提取效率。故此，提高了全彩显示质量。

主权项：1.一种用于全彩显示的RGB混合集成Micro-LED芯片阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在图形化蓝宝石衬底上生长GaN蓝光外延层，所述GaN蓝光外延层由下至上依次包括叠置的低温GaN成核层、等电Al掺杂的GaN缓冲层、未掺杂的低温GaN外延层、GaN激光剥离层、重掺杂的n+-GaN电子发射层、InGaNGaN超晶格应力缓释层、InGaNGaN多量子阱层、Mg掺杂的p-GaN电子阻挡层和重掺杂的p+-GaN空穴发射层；S2、刻蚀所述GaN蓝光外延层以形成隔离沟槽和圆台结构GaN蓝光外延层；S3、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出N型电极接触沟槽的图案，显影后在暴露出的GaN蓝光外延层刻蚀出圆柱体结构的N型电极接触沟槽；所述N型电极接触沟槽暴露出所述重掺杂的n+-GaN电子发射层；S4、在所述N型电极接触沟槽内填充二氧化硅填料层；刻蚀掉部分所述二氧化硅填料层，暴露出所述重掺杂n+-GaN电子发射层，形成管状结构的二氧化硅填料层；在所述管状结构的二氧化硅填料层内部填充金属填料；S5、洗去残留的光刻胶层，在所述的GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；所述光刻胶层激光光刻出圆形N型电极和圆环形P型电极的图案，显影后在圆形N型电极和圆环形P型电极区域表面蒸镀一层ITO；S6、在生长N型电极的圆形区域及生长P型电极的圆环形区域内蒸镀相应的金属层，得到N型金属反射电极和圆环形P型金属反射电极，得到GaN蓝光显示器件；S7、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出钙钛矿绿光显示器件的图案，显影后暴露出n+-GaN电子发射层；S8、在暴露出的所述n+-GaN电子发射层表面依次蒸镀上ITO层，电子发射层，电子传输层，钙钛矿绿光发光层，空穴传输层，空穴发射层，P型电极；S9、在所述GaN蓝光外延层表面涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出有机物红光显示器件的图案，显影后暴露出n+-GaN电子发射层；S10、在暴露出的所述n+-GaN电子发射层表面依次蒸镀上ITO层，电子发射层，电子传输层，有机物红光发光层，空穴传输层，空穴发射层，P型电极；S11、洗去残留的光刻胶层，再在外延层涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的N型电极的图案，显影后在暴露出的n+-GaN电子发射层表面；在所述暴露出的n+-GaN电子发射层表面依次沉积用于形成欧姆接触的金属层和侧壁反射镜；洗去残留的光刻胶层后，沉积二氧化硅钝化层，得到钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件；S12、在钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的P型电极表面沉积铝金属反射镜；在GaN蓝光显示器件，钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件的各电极表面沉积金属焊盘；S13、在外延层涂覆一层光刻胶层；在所述光刻胶层激光光刻出上述三种显示器件的隔离沟槽的图案，显影后刻蚀掉暴露出的n+-GaN电子发射层，暴露出低温GaN外延层，得到隔离沟槽，并洗去残留的光刻胶层，然后沉积二氧化硅钝化层，得到RGB混合集成Micro-LED芯片；S14、将所述RGB混合集成Micro-LED芯片从生长衬底上剥离，并将其键合到驱动面板上得到用于全彩显示的RGB混合集成Micro-LED芯片阵列。

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