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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供了一种主动降噪消声瓦及其降噪控制方法，涉及消声瓦技术领域。主动降噪消声瓦，包括形状记忆高分子基体、压电陶瓷和瓦内腔体，所述瓦内腔体均布置在形状记忆高分子基体内，所述压电陶瓷嵌入在所述瓦内腔体内部，所述压电陶瓷能够输出与所述形状记忆高分子基体的振动相对应的反相位动作。压电陶瓷设置在形状记忆高分子基体的消声瓦结构中，输出与形状记忆高分子基体消声瓦的振动对应的反相位动作以抑制形状记忆高分子基体的消声瓦振动；瓦内腔体能够基于形状记忆高分子基体的变刚度特性实现对特定频段噪声的吸收；通过将压电陶瓷设置在形状记忆高分子基体结构中，将消声瓦结构与智能材料形状记忆高分子结合，实现主动减振和降噪功能。
主权项：1.一种主动降噪消声瓦，其特征在于，包括形状记忆高分子基体1、压电陶瓷3和瓦内腔体4，所述瓦内腔体4布置在所述形状记忆高分子基体1内，所述压电陶瓷3嵌入在所述瓦内腔体4内部，所述压电陶瓷3用于输出与所述形状记忆高分子基体1的振动相对应的反相位动作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种主动降噪消声瓦及其降噪控制方法
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