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申请/专利权人：郑州轻工业大学
摘要：本发明涉及一种铜插层氧化钼材料及其制备方法。该铜插层氧化钼材料的制备方法包括以下步骤：将氧化钼本体利用超声和超临界CO2技术制备六方氧化钼纳米片分散液；将铜盐与六方氧化钼纳米片分散液混合得到溶液一，在所述溶液一中加入过氧化氢得到溶液二，将所述溶液二转移至超临界装置中反应，即得。本发明利用超临界二氧化碳技术构筑的六方氧化钼纳米片，在较低温度下利用过氧化氢和超临界二氧化碳辅助实现铜离子掺杂，在MoO3中引入氧空位和金属离子，得到具有等离子共振性能的氧空位型氧化钼半导体。
主权项：1.一种铜插层氧化钼材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将氧化钼本体利用超声和超临界CO2技术制备六方氧化钼纳米片分散液；2将铜盐与六方氧化钼纳米片分散液混合得到溶液一，在所述溶液一中加入过氧化氢得到溶液二，将所述溶液二转移至超临界装置中反应，即得。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州轻工业大学 一种铜插层氧化钼材料及其制备方法
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