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申请/专利权人：重庆芯联微电子有限公司
摘要：本发明提供一种掩膜版图形及其优化方法，该优化方法为在初始图形包括并排排列且长度不等的密集图形和稀疏图形时，通过在位于密集图形宽度方向至少一侧的稀疏图形末端增加曝光辅助图形，使其沿稀疏图形长度方向延伸，且密集图形长度与稀疏图形的始端和曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为密集图形长度的±10％之间，使得集成电路版图中图形密度程度相差减小，密集图形的末端因为有曝光辅助图形的遮挡不会接收到更多的曝光能量，所以不会由于光学临近效应发生“端部膨胀”现象。从而在衬底上转移得到和原始的掩膜版上图形设计相同的图案，减少集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，从而解决由此导致的接触孔功能性不良和短路等工艺缺陷。
主权项：1.一种掩膜版图形的优化方法，其特征在于，所述优化方法包括：步骤一，获取掩膜版图形中所有的光罩图形的光罩参数；步骤二，根据所述光罩参数，识别出需要进行优化的初始图形，其中，需要进行优化的所述初始图形包括并排排列的密集图形和稀疏图形，所述稀疏图形位于所述密集图形宽度方向的至少一侧，且所述密集图形的长度大于所述稀疏图形的长度，同时所述密集图形与所述稀疏图形的始端平齐设置；步骤三，在位于所述密集图形宽度方向至少一侧的所述稀疏图形末端增加曝光辅助图形，所述曝光辅助图形沿所述稀疏图形长度方向延伸，且所述密集图形长度与所述稀疏图形的始端和所述曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为所述密集图形长度的±10％之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 掩膜版图形及其优化方法
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