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申请/专利权人:应用材料公司
摘要:提供一种具有支撑层的DRAM装置,用于在被电极金属填充之前保持bWL特征。支撑层使结构从顶表面得到支撑,但不阻止间隙填充。首先将暂时间隙填充材料沉积在bWL间隙中,随后使暂时间隙填充材料凹陷以暴露顶部边缘。随后通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将支撑层材料沉积在结构上。随后将装置图案化为正交且间距大于bWL间距。随后移除暂时间隙填充材料,从而形成包括支撑材料的支撑梁。随后可沉积金属以填充在支撑梁之下的bWL间隙。
主权项:1.一种存储器装置,包括:基板,所述基板具有基板表面,所述基板表面具有延伸至所述基板中某个深度的多个沟槽,每个沟槽包含底部及侧壁;及梁,所述梁在所述基板表面上在所述多个沟槽之间延伸,所述梁包括支撑层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料公司 用于小间距填充的支撑层
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