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申请/专利权人：安徽旭合新能源科技有限公司
摘要：本发明公开了一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池、制备方法及设备，包括以下步骤：S1：将待处理硅片放入SDE槽中SDE处理，并采用KOH处理液；S2：将S1所得硅片采用PECVD等离子增强化学气相沉积对其背面进行原位掺杂，制备遂穿层和硼掺杂多晶硅层；S3：将S2所得硅片采用皮秒激光对其背面处理形成第一激光消融区；S4：将S3所得硅片放入RCA槽中进行RCA清洗；S5：将S4所得硅片采用PECVD对第一激光消融区进行原位掺杂，制备遂穿层和砷掺杂多晶硅层。本发明通过在硅片上原位掺杂砷掺杂多晶硅层，解决了TBC电池片磷掺杂多晶硅钝化均匀性差导致电池效率低的问题，电池效率提升可达0.5％。
主权项：1.一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将待处理硅片1放入SDE槽中SDE处理，并采用KOH处理液；S2：将S1所得硅片1采用PECVD对其背面进行原位掺杂，制备遂穿层2和硼掺杂多晶硅层3；S3：将S2所得硅片1采用皮秒激光对其背面处理形成第一激光消融区；S4：将S3所得硅片1放入RCA槽中进行RCA清洗；S5：将S4所得硅片1采用PECVD对第一激光消融区进行原位掺杂，制备遂穿层2和砷掺杂多晶硅层7；S6：将S5所得硅片1背面进行退火处理；S7：将S6所得硅片1采用皮秒激光对其背面处理形成第二激光消融区；S8：将S7所得硅片1放入制绒槽中进行制绒清洗，并采用KOH处理液；S9：将S8所得硅片1背面进行ALD镀膜形成钝化层4；S10：将S9所得硅片1的正面和背面采用MOCVD真空蒸发，制备MgF2减反射层5和SiNxZnS减反射层6；S11：将S10所得硅片1的背面制备正电极8和负电极9。
全文数据：
权利要求：
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