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一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法 

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申请/专利权人:北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要:本发明公开了一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法,将编程过程划分成全数据初始编程、回读定向编程和全数据加强编程三个主要阶段:全数据初始编程阶段顺序对所有地址只进行一次编程,不关注数据写入是否成功;回读定向编程阶段对所有地址逐个进行回读判断编程结果,只对数据未编程成功的地址和存储单元进行定向编程;加强编程阶段再次顺序对所有地址再进行一次编程,以进一步提升反熔丝单元的击穿一致性。本方法可有效避免栅氧反熔丝阵列编程时的热量累积,减少高压通路损伤,从而大幅提高编程成功率,降低反熔丝单元击穿电阻的离散性,提升反熔丝存储器的长期可靠性。

主权项:1.一种分阶段的大容量栅氧反熔丝存储器编程方法,其特征在于:将编程过程分为全数据初始编程阶段、回读定向编程阶段和加强编程阶段;1全数据初始编程阶段:从0地址开始,按顺序对存储器所有地址执行编程操作,直到最后一个地址完成编程操作后,进入回读定向编程阶段;所述编程操作为将待编程数据写入相应地址;2回读定向编程阶段:对所有地址逐个执行回读操作,并判断编程结果,对未编程成功的地址进行定向编程,对已编程成功的地址的存储单元则跳过;当全部地址编程成功或达到回读循环次数上限后,进入加强编程阶段;所述定向编程为将回读数据和原始数据的按位异或结果写入相应未编程成功的地址;3加强编程阶段:再次从0地址开始,顺序对所有地址执行编程操作,直到最后一个地址完成编程操作,然后在拉偏的工作电压下对全部数据进行回读校验,校验失败则判定该存储器编程失效,校验成功则判定该存储器编程成功。

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权利要求:

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