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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：制造金属‑绝缘体‑金属MIM电容器结构的方法包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过介电材料到图案化金属层；在介电材料上且在介电材料中所形成的一或多个深沟槽里面沉积MIM多层；以及制造至少一个三维金属‑绝缘体‑金属3D‑MIM电容器，其包括沉积在一或多个深沟槽中的至少一者里面的MIM多层的一部分；以及制造至少一个第二电容器，其包含至少一个浅3D‑MIM电容器，其包括沉积在一或多个浅沟槽里面的MIM多层的一部分，一或多个浅沟槽部分穿过介电材料且比一或多个深沟槽还浅，及或至少一个二维金属‑绝缘体‑金属2D‑MIM电容器，其包括沉积在介电材料上的MIM多层的一部分。
主权项：1.一种制造金属-绝缘体-金属MIM电容器结构的方法，所述方法，包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在所述图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过所述介电材料到所述图案化金属层；在所述介电材料上且在所述介电材料中所形成的所述一或多个深沟槽里面沉积MIM多层，所述MIM多层包含第一导电层、第二导电层以及插入在所述第一导电层与所述第二导电层之间的介电层；以及制造至少一个三维金属-绝缘体-金属3D-MIM电容器，其包括沉积在所述一或多个深沟槽中的至少一者里面的所述MIM多层的一部分；以及制造至少一个第二电容器，其包括以下至少一项：i至少一个浅3D-MIM电容器，其包含沉积在一或多个浅沟槽里面的所述MIM多层的一部分，所述一或多个浅沟槽部分穿过所述介电材料且比所述一或多个深沟槽还浅，及或ii至少一个二维金属-绝缘体-金属2D-MIM电容器，其包含沉积在所述介电材料上的所述MIM多层的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法
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