龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：山东省科学院激光研究所
摘要：本申请涉及激光器制备技术领域，提供一种基于飞秒激光加工的分布式反馈激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底上沉积外延结构；在欧姆接触层沉积条形的第一电极；其中，第一电极沉积在欧姆接触层的中间区域，第一电极沿第一方向延伸；刻蚀限制层和欧姆接触层，得到脊型波导结构；采用飞秒技术在脊型波导结构两侧的波导层制备多个条形的分布式反馈光栅；在衬底背离外延结构的一侧沉积第二电极，退火后得到分布式反馈激光器。该制备方法能够避免精密对准工艺，制备精度高，减少设备成本和生产周期，可以实现规模化生产。同时，该制备方法为非热处理方法，减少了热影响区，提高了材料的光电性能，有利于降低制造成本。
主权项：1.一种基于飞秒激光加工的分布式反馈激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供一层InP衬底；在所述InP衬底上沉积外延结构；其中，所述外延结构包括依次沉积的N-InP缓冲层、N-InAlAs限制层、InGaAsInGaAsP量子阱层、P-InAlAs波导层、P-InAlAs限制层和P-InP欧姆接触层；在所述P-InP欧姆接触层沉积条形的第一电极；其中，所述第一电极沉积在所述P-InP欧姆接触层的中间区域，所述第一电极沿第一方向延伸；刻蚀所述P-InAlAs限制层和所述P-InP欧姆接触层，得到脊型波导结构；其中，所述脊型波导结构包括条形的所述P-InAlAs限制层和条形的所述P-InP欧姆接触层，所述P-InAlAs限制层、所述P-InP欧姆接触层和所述第一电极的形状均相同，且所述P-InAlAs限制层和所述P-InP欧姆接触层均沿所述第一方向延伸；采用飞秒技术在所述脊型波导结构两侧的所述P-InAlAs波导层内制备多个条形的分布式反馈光栅；其中，所述分布式反馈光栅的长度方向为第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述分布式反馈光栅的高度小于所述P-InAlAs波导层的高度，所述分布式反馈光栅位于所述P-InAlAs波导层的上部、中部或下部；在所述InP衬底背离所述外延结构的一侧沉积第二电极，退火后得到分布式反馈激光器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东省科学院激光研究所 一种基于飞秒激光加工的分布式反馈激光器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号