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申请/专利权人：格兰菲智能科技股份有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底、多个沟槽结构和掺杂结构。多个沟槽结构沿第一方向间隔排布。每个沟槽结构自衬底的上表面向衬底的内部沿第二方向延伸。掺杂结构位于衬底的内部，与沟槽结构的部分底部表面相接触。其中，掺杂结构的导电类型与衬底的导电类型相反。本公开可以提高半导体器件的反向耐压能力，进而提高半导体器件的可靠性和长程稳定性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多个沟槽结构，沿第一方向间隔排布；每个所述沟槽结构自所述衬底的上表面向所述衬底的内部沿第二方向延伸；掺杂结构，位于所述衬底的内部，与所述沟槽结构的部分底部表面相接触；其中，所述掺杂结构的导电类型与所述衬底的导电类型相反。
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百度查询： 格兰菲智能科技股份有限公司 半导体结构及其制备方法
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