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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，涉及半导体单晶硅拉晶技术领域，通过等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，增大温度梯度，使得得到的待滚磨晶棒中小尺寸的氧沉淀点位增多，将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；对含有诸多小尺寸氧沉淀的硅片进行热处理，氧和空位在高温下的扩散，其在硅晶表面的浓度低于饱和度，小尺寸的氧沉淀在高温下的溶解，使得热处理后硅片的DZ洁净区的深度增加，DZ洁净区深度达到60μm以上。
主权项：1.一种增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：等径预定距离后，提高拉速，以使晶棒在预定拉速下拉制，得到待滚磨晶棒；S2：将待滚磨晶棒进行滚磨、分段、切片，得到硅片；S3：将硅片进行热处理，得到热处理后硅片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 增大掺硼单晶硅DZ洁净区的方法
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