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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种钨插塞的制备方法，为半导体制造领域，包括：提供含有接触孔的基底；在接触孔表面依次进行粘附层沉积和阻挡层沉积，之后依次经钨混层沉积、钨体层沉积和去除作业形成钨插塞；其中，所述钨混层沉积包括依次进行的钨层沉积和硼钨硅层沉积，钨层沉积中六氟化钨和硅烷的流量比为3‑4:1，硼钨硅层沉积中硼烷和硅烷的流量比为0.3‑0.8:1，所述钨层沉积所得钨层厚度＞所述硼钨硅层沉积所得硼钨硅层的厚度。本发明提供的制备方法，通过控制形成钨混层的沉积过程参数，使得后续在接触孔内沉积钨体层时所得钨层具有良好的阶梯覆盖率，避免了钨插塞内部形成孔洞、空隙等缺陷，有利于保证钨插塞内部有良好的致密性。
主权项：1.一种钨插塞的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供含有接触孔的基底；在接触孔表面依次进行粘附层沉积和阻挡层沉积，之后依次经钨混层沉积、钨体层沉积和去除作业形成钨插塞；所述钨混层沉积包括依次进行的钨层沉积和硼钨硅层沉积；所述钨层沉积中六氟化钨和硅烷的流量比为3-4:1；所述硼钨硅层沉积中硼烷和硅烷的流量比为0.3-0.8:1；其中，所述钨层沉积所得钨层厚度＞所述硼钨硅层沉积所得硼钨硅层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 江苏邑文微电子科技有限公司 一种钨插塞的制备方法
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