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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请提供了一种3D堆叠的NAND存储器及其制造方法、电子设备。该NAND存储器包括：在垂直于衬底的方向上间隔堆叠的多层金属氧化物半导体层，每层金属氧化物半导体层包括沿着行方向延伸且在列方向上间隔排列的多行金属氧化物半导体层；各字线沿着垂直于衬底的方向延伸穿过垂直堆叠的多行金属氧化物半导体层且被各行金属氧化物半导体层环绕的多条字线，各字线通过绝缘层与各行金属氧化物半导体层隔离；多行存储单元，每行存储单元对应一行金属氧化物半导体层且包括由所对应的一行金属氧化物半导体层串联连接的多个存储单元，沿着字线延伸的方向，垂直堆叠的各存储单元共用一条字线。本申请的存储器架构能够有效提高存储密度。
主权项：1.一种3D堆叠的NAND存储器，其特征在于，包括：多层金属氧化物半导体层，各层金属氧化物半导体层在垂直于衬底的方向上间隔堆叠，每层金属氧化物半导体层包括沿着行方向延伸且在列方向上间隔排列的多个金属氧化物半导体层；多条字线，各所述字线沿着垂直于所述衬底的方向延伸穿过垂直堆叠的多个金属氧化物半导体层且被各所述金属氧化物半导体层环绕，各所述字线通过绝缘层与各所述金属氧化物半导体层隔离；多行存储单元，每行存储单元对应一个金属氧化物半导体层且包括由所对应的金属氧化物半导体层串联连接的多个存储单元，所述多个存储单元为一个NAND串；沿着字线延伸的方向，在不同NAND串的相同位置垂直堆叠的各存储单元共用一条字线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 3D堆叠的NAND存储器及其制造方法、电子设备
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