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NAND闪存及闪存芯片连接底座、和固态存储器 

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申请/专利权人:深圳市德明利技术股份有限公司

摘要:本申请涉及存储芯片封装技术领域,公开了一种NAND闪存及闪存芯片连接底座、和固态存储器,该NAND闪存通过对基于球栅阵列封装格式的引脚排布进行部分引脚重新定义得到,包括:将每个通道区域中的DQ引脚均匀设置在纵向通道的左右两列的头部或尾部,且左右两列相差至少三列的距离,其中,纵向通道由球栅阵列中的正中间列形成;将每个通道区域中的DQS差分引脚、RE差分引脚、以及WP与WE引脚分别设置在位于纵向通道同一侧的相邻上下行或相邻左右列。通过对NAND闪存芯片引脚的重新排布,降低了信号密度以及出线难度,扩大了闪存芯片的运用场景等。

主权项:1.一种NAND闪存,其特征在于,所述NAND闪存通过对基于球栅阵列封装格式的芯片引脚排布进行部分引脚重新定义得到,包括:将每个通道区域中的DQ引脚均匀设置在纵向通道的左右两列的头部或尾部,且所述左右两列相差至少三列的距离,其中,所述纵向通道由所述球栅阵列中的正中间列形成;将每个通道区域中的DQS差分对引脚、RE差分对引脚、以及WP与WE引脚分别设置在位于所述纵向通道同一侧的相邻上下行或相邻左右列。

全文数据:

权利要求:

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