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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种三维及式快闪存储器及其制造方法，该制造方法包括以下步骤。形成包括交替叠层的第一绝缘层与第一牺牲层的叠层结构。形成贯穿叠层结构且包括第二绝缘层与环绕其的第二牺牲层的第一柱结构。形成贯穿叠层结构且包括通道层与环绕其的绝缘柱的第二柱结构。第二牺牲层位于通道层的两侧。移除第一牺牲层以形成暴露出部分的第二绝缘层以及通道层的侧向开口。形成环绕暴露出的第二绝缘层以及通道层的栅介电层于侧向开口中。填入栅极层于侧向开口中。利用导体层置换第二牺牲层。
主权项：1.一种三维及式快闪存储器的制造方法，包括：形成叠层结构于衬底上，其中所述叠层结构包括交替叠层的第一绝缘层与第一牺牲层；形成贯穿所述叠层结构且具有类矩形轮廓的第一柱结构，其中所述第一柱结构包括第二绝缘层与第二牺牲层，且所述第二绝缘层环绕所述第二牺牲层，所述类矩形是指矩形的至少一边角为圆角而非方角；形成贯穿所述叠层结构且具有椭圆形轮廓的第二柱结构，其中所述第二柱结构包括通道层与绝缘柱，所述通道层环绕所述绝缘柱，且所述第二牺牲层位于所述通道层的两侧并与所述通道层接触，其中所述第二牺牲层面对所述第二柱结构的长轴截面；移除所述第一牺牲层以形成侧向开口，其中所述侧向开口暴露出部分的所述第二绝缘层以及部分的所述通道层；形成栅介电层于所述侧向开口中，其中所述栅介电层环绕经暴露出的所述第二绝缘层以及所述通道层；填入栅极层于所述侧向开口中；以及利用导体层置换所述第二牺牲层。
全文数据：
权利要求：
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