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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了半导体器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括处理器、静态随机存取存储器SRAM单元的阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。所述半导体器件还包括第二半导体结构，第二半导体结构包括NAND存储单元的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层。所述半导体器件还包括在第一键合层和第二键合层之间的键合界面。第一键合触点和第二键合触点在键合界面处接触。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，其包括处理器、静态随机存取存储器（SRAM）单元的阵列、以及包括多个第一键合触点的第一键合层，其中，在垂直方向的投影方向上，所述SRAM位于所述第一半导体结构中的没有所述多个第一键合触点的区域；第二半导体结构，其包括NAND存储单元的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层；以及在所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合触点与所述第二键合触点在所述键合界面处接触，并且其中，所述NAND存储单元与所述处理器之间以及所述NAND存储单元与所述SRAM单元之间的数据传输是通过跨越所述键合界面的键合触点来执行的，其中，所述处理器与所述SRAM和用于所述NAND存储单元的阵列的外围电路在同一衬底上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有处理器和NAND闪存的键合半导体器件及其形成方法
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