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申请/专利权人：珠海楠欣半导体科技有限公司
摘要：本申请实施例提供一种合封芯片和合封芯片的控制方法。该合封芯片，包括：框架、功率芯片、控制芯片和连接结构；功率芯片和控制芯片设置于所述框架上；功率芯片至少包括第一金属层和第一金属焊点，第一金属焊点与第一金属层电连接，控制芯片至少包括第二金属层和第二金属焊点，第二金属焊点与所述第二金属层电连接；连接结构连接第一金属焊点和第二金属焊点；连接结构将功率芯片的第一金属层的温度信号传递至控制芯片的第二金属层，控制芯片根据连接结构传递的第一金属层的温度信号，输出控制信号。避免作用在功率芯片的工作电压或工作电流过大，造成功率芯片温度过高，而出现功率芯片损坏的现象。
主权项：1.一种合封芯片，其特征在于，包括：框架、功率芯片、控制芯片和连接结构；所述功率芯片和所述控制芯片设置于所述框架上；所述功率芯片至少包括第一金属层和第一金属焊点，所述第一金属焊点与所述第一金属层电连接，所述控制芯片至少包括第二金属层和第二金属焊点，所述第二金属焊点与所述第二金属层电连接；所述连接结构连接所述第一金属焊点和所述第二金属焊点；所述连接结构将所述功率芯片的第一金属层的温度信号传递至所述控制芯片的第二金属层，所述控制芯片根据所述连接结构传递的所述第一金属层的温度信号，输出控制信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海楠欣半导体科技有限公司 一种合封芯片和合封芯片的控制方法
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