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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了穿硅过孔管芯。在示例中，半导体管芯包括具有器件侧和背侧的衬底。有源器件层在衬底的器件侧中或上。电介质结构在有源器件层上方。第一管芯边缘金属保护环在电介质结构中并且围绕衬底的外周界。多个金属化层在电介质结构中并且在第一管芯边缘金属保护环内。多个穿硅过孔在衬底中并延伸到电介质结构中，并且连接到多个金属化层。多个背侧金属化结构在衬底的背侧下方。多个穿硅过孔连接到多个背侧金属化结构。第二管芯边缘金属保护环横向围绕多个背侧金属化结构。
主权项：1.一种半导体管芯，包括：衬底，所述衬底具有器件侧和背侧；有源器件层，所述有源器件层在所述衬底的所述器件侧中或上；电介质结构，所述电介质结构在所述有源器件层上方；第一管芯边缘金属保护环，所述第一管芯边缘金属保护环在所述电介质结构中并且围绕所述衬底的外周界；多个金属化层，所述多个金属化层在所述电介质结构中并且在所述第一管芯边缘金属保护环内；在所述衬底中的多个穿硅过孔，所述多个穿硅过孔延伸到所述电介质结构中，并且连接到所述多个金属化层；多个背侧金属化结构，所述多个背侧金属化结构在所述衬底的所述背侧下方，其中，所述多个穿硅过孔连接到所述多个背侧金属化结构；以及第二管芯边缘金属保护环，所述第二管芯边缘金属保护环横向围绕所述多个背侧金属化结构。
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