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申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

摘要：一种在具有第一区域、第二区域和第三区域的硅衬底上形成器件的方法包括：使该第一区域和该第三区域中的上衬底表面凹陷；在该第二区域中形成向上延伸的硅鳍片；在该第一区域中形成第一源极区、第一漏极区和第一沟道区；在该鳍片中形成第二源极区、第二漏极区和第二沟道区；在该第三区域中形成第三源极区、第三漏极区和第三沟道区；使用第一多晶硅沉积在该第一沟道区的第一部分上方形成浮置栅极；使用第二多晶硅沉积形成在该第一源极区上方的擦除栅极和在该第三沟道区上方的器件栅极；以及使用金属沉积形成在该第一沟道区的第二部分上方的字线栅极、在该浮置栅极上方的控制栅极、和在该第二沟道区上方的逻辑栅极。

主权项：1.一种形成设备的方法，所述方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底具有第一区域、第二区域和第三区域；使所述第一区域中的所述衬底的上表面和所述第三区域中的所述衬底的上表面相对于所述第二区域中的所述衬底的上表面凹陷；移除所述第二区域中的所述衬底的部分以形成向上延伸的硅鳍片，所述向上延伸的硅鳍片具有向上延伸且终止于顶表面处的一对侧表面；在所述第一区域中形成第一源极区和第一漏极区，其中所述第一源极区和所述第一漏极区限定在所述第一源极区与所述第一漏极区之间延伸的所述衬底的第一沟道区；在所述硅鳍片中形成第二源极区和第二漏极区以限定所述衬底的第二沟道区，所述第二沟道区沿着所述硅鳍片的所述顶表面和所述一对侧表面在所述第二源极区与所述第二漏极区之间延伸；在所述第三区域中形成第三源极区和第三漏极区，其中所述第三源极区和所述第三漏极区限定在所述第三源极区与所述第三漏极区之间延伸的所述衬底的第三沟道区；使用第一多晶硅沉积形成浮置栅极，所述浮置栅极设置在所述衬底的所述第一沟道区的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘；使用与所述第一多晶硅沉积不同的第二多晶硅沉积形成擦除栅极和器件栅极，所述擦除栅极设置在所述第一源极区域上方并且与所述第一源极区域绝缘，所述器件栅极设置在所述衬底的所述第三沟道区上方并且与所述第三沟道区绝缘；以及使用金属沉积形成设置在所述第一沟道区的第二部分上方并与所述第二部分绝缘的字线栅极、设置在所述浮置栅极上方并与所述浮置栅极绝缘的控制栅极、以及设置在所述衬底的所述第二沟道区上方并与所述第二沟道区绝缘的逻辑栅极。

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百度查询： 硅存储技术股份有限公司 在衬底上形成具有平面分裂栅非易失性存储器单元、平面HV器件和FINFET逻辑器件的设备的方法