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申请/专利权人：江苏伏图拉新能源集团有限公司

摘要：本发明提出一种抗电势诱导衰减的N型背接触光伏组件，其包括封装在组件中间的太阳电池组串、位于外侧的玻璃基板、将太阳电池组串与玻璃基板密闭封装的EVA层、位于后侧的背板，以及组件边缘封装的边框；在边框与模块边硅基片上同步扩散形成前表面和背面发射极，并使用硼扩散形成硼硅玻璃层和SiO2层作为钝化层，省去现有工艺的氧化和钝化步骤，简化了工艺流程；选用高电阻率的硅片材料，并在电池的前表面沉积SiNx膜与SiO2形成叠层钝化层，可以有效的起到抗PID的效果；制备的电池开路电压和短路电流比较大，保证了背接触太阳电池较高的光电转换效率；对组件的封装结构，包括组件边框等进行改进，显著提高封装结构的绝缘性能，进一步提高抗PID效应的能力。

主权项：1.一种抗电势诱导衰减的N型背接触光伏组件，其特征在于，所述的光伏组件包括封装在组件中间的太阳电池组串、位于太阳电池组串外侧的玻璃基板、将太阳电池组串与玻璃基板密闭封装的EVA层、位于后侧的背板，以及将太阳电池组串、玻璃基板、EVA层以及背板构成的模块边缘封装的边框；在所述的边框与模块边缘之间设置有柔性绝缘部件；所述的N型背接触光伏组件的制备过程如下：S1、电池制备，以N型硅片作为基底材料，硅片基底材料的电阻率在15~20Ω·cm，所述的制备工艺包括如下步骤：S11：硅片表面损伤层清洗及制绒：将切割后硅片在臭氧水中进行清洗，再通过浓度在20%的碱溶液进行表面腐蚀制绒，在硅片表面形成绒面结构；S12、磷扩散：扩散炉内的压力设置在10~25Kpa，先将反应温度控制在795℃，通过携带POCl3的N2与O2的混合气体在硅片表面预沉积形成磷硅玻璃层，沉积反应时间控制在15min；然后升温至945℃，反应时间不超过15min，在高温下将磷掺杂剂向硅片内部扩散，在硅片表面形成背场层；S13、沉积氮化硅掩膜，通过激光烧蚀形成p+掺杂窗口：在磷扩散后使用管式PECVD沉积SiNx形成掩膜层，然后通过高能激光烧蚀，按照设计好的图形在电池背面形成图案，对形成的SiNx掩膜层进行刻蚀形成p+掺杂窗口；S14、二次清洗，去除硅片表面正面磷掺杂剂以及背面开槽处的n+掺杂，获得表面洁净的硅片；S15、使用炉管热扩散在制绒后的硅片两面扩散三溴化硼，在前表面形成浮动发射极，背面开槽区形成发射极；扩散过程是先在890-910℃下在硅片表面沉积一层硼硅玻璃层，然后在氧气氛围下进行980℃-1000℃下的高温氧化，在高温氧气氛围下在扩散过程形成的硼硅玻璃层和掺杂硅界面之间生产成SiO2层；然后通过HF酸溶液腐蚀工艺，对硼扩散过程中在硅片表面形成的硼硅玻璃层进行减薄使表面平整；S16、双面沉积氮化硅膜：通过管式PECVD激发SiH4与NH3反应形成SiNx薄膜，在电池表面形成SiO2SiNx叠层钝化减反射膜；S17：印刷电极和烧结，先印刷细栅线，其次印刷绝缘浆料形成隔离层，最后印刷主栅线浆料，主栅线与细栅线具有多个连接点进行电流收集；然后通过烧结工艺形成太阳电池；S18：将制作完成对电池片进行质检和效率检测，将转换效率同档的电池片进行归类管理，作为光伏组件的制备电池片；S2、组件制备，其包括如下步骤：S21、边框制备：选择合适的铝合金材料，根据产品设计结构进行边框型材成型；然后将边框型材进行清洗，去除表面油脂、污垢和氧化物；将清洗干净的边框浸泡在预处理液中，去除残留的杂质和表面氧化物；将经过预处理的边框作为阳极，放置在电解槽中，通过直流电源加电，使铝合金表面形成氧化膜；将经过阳极氧化的边框置于高温环境中，使氧化膜中的孔隙封闭，在边框表面形成致密的氧化铝绝缘层；S22、将电池片按规格排布制成电池组串；S23、将背板、EVA层、电池片及玻璃基板叠层后进行热压；S24、将热压后的模块安装边框，在边框与模块边缘之间设置柔性绝缘部件。

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