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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成绝缘材料层；湿法刻蚀部分所述绝缘材料层和所述第一导电材料层，以在所述衬底上形成底电极层和绝缘层；在所述衬底和所述绝缘层上形成第二导电材料层；湿法刻蚀部分所述第二导电材料层，使得剩余的所述第二导电材料层在所述绝缘层上形成顶电极层。本发明避免在形成MIM电容的侧壁上引入再沉积缺陷，以及在MIM电容的表面引入图案负载效应，从而有效保障形成MIM电容的电容密度和结构可靠性。
主权项：1.一种金属-绝缘体-金属电容的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成绝缘材料层；湿法刻蚀部分所述绝缘材料层和所述第一导电材料层，以在所述衬底上形成底电极层和绝缘层；在所述衬底和所述绝缘层上形成第二导电材料层；湿法刻蚀部分所述第二导电材料层，使得剩余的所述第二导电材料层在所述绝缘层上形成顶电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 金属-绝缘体-金属电容及其形成方法
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