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申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
摘要：本发明实施例提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括基板、缓冲层、通道层、阻挡层以及栅极结构。缓冲层位于基板上；通道层位于缓冲层上；阻挡层位于通道层上；栅极结构设置于阻挡层上，栅极结构包括栅极层、栅极电极层、第一保护图案层以及第二保护间隔物。栅极电极层部分覆盖栅极层；第一保护图案层完全覆盖栅极电极层的第一顶面；第二保护间隔物覆盖栅极电极层的第一侧面、第一保护图案层的第二侧面以及未被栅极电极层覆盖的部分栅极层，第二保护间隔物与栅极层之间的第一界面和栅极电极层与栅极层之间的第二界面共平面。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一缓冲层，位于所述基板上；一通道层，位于所述缓冲层上；一阻挡层，位于所述通道层上；以及一栅极结构，设置于所述阻挡层上，所述栅极结构包括：一栅极层；一栅极电极层，部分覆盖所述栅极层；一第一保护图案层，完全覆盖所述栅极电极层的一第一顶面；以及多个第二保护间隔物，覆盖所述栅极电极层的多个第一侧面、所述第一保护图案层的多个第二侧面以及未被所述栅极电极层覆盖的部分所述栅极层，其中所述多个第二保护间隔物与所述栅极层之间的多个第一界面和所述栅极电极层与所述栅极层之间的一第二界面共平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置及其形成方法
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