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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的第一埋层，以及，位于所述第一埋层内的波导器件和顶硅结构，其中，所述波导器件位于所述顶硅结构背离所述衬底一侧；去除部分第一埋层，在所述波导器件两侧形成导电沟槽，以及，连接所述导电沟槽底部和所述顶硅结构的接触孔，其中，所述导电沟槽的底部至少低于所述波导器件的顶部；在所述导电沟槽和所述接触孔内形成用于电连接所述顶硅结构的导电结构；形成覆盖所述导电结构和所述第一埋层的第二埋层；在所述第二埋层上键合器件晶圆，所述器件晶圆上至少包括光电调制结构。本发明实施例能够提升半导体器件的整体性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的第一埋层，以及，位于所述第一埋层内的波导器件和顶硅结构，其中，所述波导器件位于所述顶硅结构背离所述衬底一侧；去除部分第一埋层，在所述波导器件两侧形成导电沟槽，以及，连接所述导电沟槽底部和所述顶硅结构的接触孔，其中，所述导电沟槽的底部至少低于所述波导器件的顶部；在所述导电沟槽和所述接触孔内形成用于电连接所述顶硅结构的导电结构；形成覆盖所述导电结构和所述第一埋层的第二埋层；在所述第二埋层上键合器件晶圆，所述器件晶圆上至少包括光电调制结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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