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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成突出的半导体条带；在所述半导体条带之间形成隔离区；在所述隔离区上形成混合鳍部，所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体条带上方形成伪栅极结构；在所述半导体条带上方和所述伪栅极结构的相对侧上形成源极漏极区；在所述伪栅极结构下方形成纳米线，其中，所述纳米线位于相应的半导体条带上方并且与所述相应的半导体条带对齐，并且所述源极漏极区位于所述纳米线的相对端，其中，与所述纳米线相比，所述混合鳍部从所述衬底延伸得更远；在形成所述纳米线之后，减小所述混合鳍部的中心部分的宽度，同时保持所述混合鳍部的端部的宽度不变，以及在所述纳米线周围形成导电材料。本申请另一方面提供一种半导体器件。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成半导体鳍部，并且在所述半导体鳍部上方形成图案化的掩模层，其中，所述半导体鳍部包括半导体条带上方的外延层，其中，所述外延层包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在所述半导体鳍部的相对侧上的隔离区上方形成混合鳍部，其中，每个所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体鳍部上方和所述混合鳍部上方形成栅极结构；去除设置在所述栅极结构的侧壁之外的所述图案化的掩模层的第一部分、所述外延层的第一部分、以及所述介电结构的第一部分，但不去除所述介电鳍部；在所述介电鳍部上方和所述栅极结构周围形成层间介电层；去除所述栅极结构的栅极电极，以在所述栅极结构中形成开口，所述开口暴露出设置在所述栅极结构下方的所述图案化的掩模层的第二部分和所述介电结构的第二部分；去除所述介电结构的在所述开口中未被遮挡的第一介电结构，同时保留所述介电结构的在所述开口中被遮挡的第二介电结构；以及选择性地去除所述第一半导体材料，其中，在所述选择性地去除之后，所述第二半导体材料形成纳米线，其中，与所述纳米线的最上表面相比，所述第二介电结构从所述衬底延伸得更远。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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