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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明涉及热电材料技术领域，具体涉及一种具有本征空位的ZrNiSn基Half‑Heusler合金热电材料及其制备方法。本发明提供的热电材料，化合组成为Zr0.96Nb0.04Ni1‑xSn，其中x的取值范围为0≤x≤0.2。本发明选择ZrNiSn合金为母合金，通过调控Ni位本征结构空位，并在Zr位进行Nb替代，Nb掺杂还能够有效稳定本征结构空位的存在；另外，Nb掺杂和本征结构空位能够显著提升电导率，而且，本征结构空位的引入以及Nb掺杂能够引起较大的晶格畸变场和质量场的波动，有效的散射声子，降低晶格热导率，从而提高ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料的热电性能。
主权项：1.一种具有本征空位的ZrNiSn基Half-Heusler合金热电材料，其特征在于，化合组成为Zr0.96Nb0.04Ni1-xSn，其中x的取值范围为0≤x≤0.2。
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权利要求：
百度查询： 西南交通大学 一种具有本征空位的ZrNiSn基Half-Heusler合金热电材料及其制备方法
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