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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种光罩的非曝光区的缺陷监控方法，包括：获取光罩的图像，该图像包括曝光区的图像和非曝光区的图像，曝光区是光罩上用于形成集成电路的设计图形的区域，非曝光区是光罩上除曝光区外的其他区域；获取光罩的标准图形数据，该标准图形数据是光罩的曝光区和非曝光区上形成的图形的标准数据；根据标准图形数据和非曝光区的图像确定非曝光区是否存在缺陷。本申请通过将光罩的图像上非曝光区的图像与标准图形数据进行比对，确定光罩的非曝光区是否存在缺陷了，解决了相关技术中对光罩的检测难以兼顾非曝光区的问题，在一定程度上提高了生产效率。
主权项：1.一种光罩的非曝光区的缺陷监控方法，其特征在于，包括：获取光罩的图像，所述图像包括曝光区的图像和非曝光区的图像，所述曝光区是所述光罩上用于形成集成电路的设计图形的区域，所述非曝光区是所述光罩上除所述曝光区外的其他区域；获取所述光罩的标准图形数据，所述标准图形数据是所述光罩的曝光区和非曝光区上形成的图形的标准数据；根据所述标准图形数据和所述非曝光区的图像确定非曝光区是否存在缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 光罩的非曝光区的缺陷监控方法
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