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申请/专利权人：强华时代(成都)科技有限公司
摘要：本发明公开了一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，属于半导体器件技术领域，包括多层JFET区域模块；所述多层JFET区域模块包括从下到上依次堆叠的第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层；所述第一JFET区域层的宽度和第三JFET区域层的宽度均大于第二JFET区域层的宽度；所述第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层均为n型掺杂区域；所述第一JFET区域层和第二JFET区域层的n型掺杂浓度均大于第三JFET区域层的n型掺杂浓度；所述第二JFET区域层的n型掺杂浓度大于第一JFET区域层的n型掺杂浓度。本发明解决了碳化硅场效应管器件长期使用可靠性不足的问题。
主权项：1.一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，包括多层JFET区域模块；所述多层JFET区域模块包括从下到上依次堆叠的第一JFET区域层4、第二JFET区域层5和第三JFET区域层6；所述第一JFET区域层4、第二JFET区域层5和第三JFET区域层6均关于同一中心轴线水平对称，且所述第一JFET区域层4的宽度和第三JFET区域层6的宽度均大于第二JFET区域层5的宽度；所述第一JFET区域层4、第二JFET区域层5和第三JFET区域层6均为n型掺杂区域；所述第一JFET区域层4和第二JFET区域层5的n型掺杂浓度均大于第三JFET区域层6的n型掺杂浓度；所述第二JFET区域层5的n型掺杂浓度大于第一JFET区域层4的n型掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 强华时代(成都)科技有限公司 一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件
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