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申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种MEMS热电堆红外传感器及制备方法，其中，位于上层的第二半导体层具有贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口，红外吸收层具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口，且位于冷结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与绝缘介质层相接触，位于热结端的第一半导体层与第二半导体层之间具有第一空腔，位于热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有第二空腔，且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀窗口及第二空腔相贯通。本发明仅保留冷结端的绝缘介质层，可减少导热横截面积，降低热结热量损耗，有效提高传感器的灵敏度，且在形成红外吸收层时可形成支撑部以对热电偶起到支撑作用，降低破裂概率，提高质量。
主权项：1.一种MEMS热电堆红外传感器，其特征在于，所述MEMS热电堆红外传感器包括：衬底，所述衬底具有贯穿所述衬底的空腔；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述衬底上；热电偶，所述热电偶包括具有A塞贝克系数的第一半导体层及具有B塞贝克系数的第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的塞贝克系数相反并结对堆叠设置，位于上层的所述第二半导体层具有贯穿所述第二半导体层的第一刻蚀窗口，其中，位于冷结端的所述第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与所述绝缘介质层相接触，位于热结端的所述第一半导体层与所述第二半导体层之间具有第一空腔，所述第一空腔与所述第一刻蚀窗口相贯通；导电层，所述导电层与所述第一半导体层及第二半导体层相接触；红外吸收层，所述红外吸收层具有贯穿所述红外吸收层的第二刻蚀窗口，位于热结端的所述第二半导体层与所述红外吸收层之间具有第二空腔，所述第二空腔与所述第二刻蚀窗口相贯通，且所述第二空腔与所述第一空腔相贯通。
全文数据：
权利要求：
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