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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。
主权项：1.一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，包括由下到上依次设置的衬底层（100）、具有谐振结构（201）的结构层（200）、和盖帽层（300），衬底层（100）和结构层（200）之间通过衬底氧化层（102）形成绝缘键合；盖帽层（300）与结构层（200）通过盖帽键合介质层（303）键合连接以形成谐振结构（201）气密封装环境；其特征在于：所述衬底层（100）的内侧设有面向谐振结构（201））的衬底空腔（101）；所述盖帽层（300）表面设有钝化层（305），盖帽层（300）的内侧设有面向谐振结构（201）的盖帽浅腔（301），盖帽层（300）中设有用于信号传导的纵向布线（304），纵向布线（304）周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环（302），纵向布线（304）的外端与外露于钝化层（305）表面的焊盘（306）电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属（203）连接在谐振结构（201）上。
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权利要求：
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