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申请/专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
摘要：本发明公开一种可集成的纵向高压器件及其制备方法，可集成的纵向高压器件包括：N型衬底；第一N型外延层，位于N型衬底的上方；第一P阱区，位于第一N型外延层；第二N型外延层，位于第一N型外延层的上方；第二P阱区，位于第二N型外延层，且位于第一P阱区的上方；栅极沟槽，位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；栅极沟槽内设置有纵向栅氧化层和纵向多晶硅栅；纵向体区，也位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；纵向体区设置有纵向源区、体重掺杂区和体轻掺杂区；平面器件，位于第二P阱区，且位于第二P阱区的上表面。采用上述技术方案，可以提高压器件的可靠性，实现大面积的功率输出管的集成。
主权项：1.一种可集成的纵向高压器件，其特征在于，包括：N型衬底；第一N型外延层，位于所述N型衬底的上方；第一P阱区，位于所述第一N型外延层；第二N型外延层，位于所述第一N型外延层的上方；第二P阱区，位于所述第二N型外延层，且位于所述第一P阱区的上方；栅极沟槽，位于未设置所述第二P阱区的所述第二N型外延层；所述栅极沟槽内设置有纵向栅氧化层和纵向多晶硅栅，所述纵向栅氧化层包裹所述纵向多晶硅栅；纵向体区，也位于未设置所述第二P阱区的所述第二N型外延层；所述纵向体区与所述栅极沟槽沿水平方向相邻设置；其中，所述纵向体区设置有纵向源区、体重掺杂区和体轻掺杂区，所述体重掺杂区、所述纵向源区和所述栅极沟槽沿水平方向依次相邻设置，所述体轻掺杂区位于所述体重掺杂区和所述纵向源区的下方；平面器件，位于所述第二P阱区，且位于所述第二P阱区的上表面；其中，所述平面器件包括LDMOS晶体管和或CMOS器件。
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权利要求：
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