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申请/专利权人:上海空间电源研究所
摘要:本发明公开了一种氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池,制备方法包括:将金属薄膜放置于MOCVD系统腔体的靶台上,抽真空至<10‑4Torr;通入氢气和氩气,气体流量50sccm‑100sccm,靶台温度800℃‑1100℃;停止通入氢气和氩气,通入甲烷,气体流量25sccm‑50sccm,反应时间0.5h‑3h;停止通入甲烷,在可见光照射下,通入氯气,气体流量30sccm‑70sccm,靶台温度550℃‑750℃,反应时间0.5h‑2h;停止通入氯气,以5℃s‑20℃s的速率降温至室温,获得所述的氯化石墨烯材料。该方法制备的材料宽光谱透明度高、面密度低、吸波性能好、环境适应性强。
主权项:1.一种氯化石墨烯材料的制备方法,其特征在于,包括:利用光刻反应在金属薄膜上制备图形化微结构;将所述金属薄膜放置于MOCVD系统腔体的靶台上,抽真空至<10-4Torr;通入氢气和氩气,气体流量50sccm-100sccm,靶台温度800℃-1100℃;停止通入氢气和氩气,通入甲烷,气体流量25sccm-50sccm,反应时间0.5h-3h,以甲烷作为碳源,利用甲烷高温分解,在所述金属薄膜上沉积石墨烯,制备本征石墨烯材料;停止通入甲烷,在可见光照射下,通入氯气,气体流量30sccm-70sccm,靶台温度550℃-750℃,反应时间0.5h-2h;停止通入氯气,以5℃s-20℃s的速率降温至室温,获得所述的氯化石墨烯材料;后处理,对所述氯化石墨烯材料进行去胶、酸洗、剥离。
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