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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)
摘要：本发明提供了一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火。采用本发明的技术方案，通过调控外延生长时的气氛，实现氮元素的掺杂，无需选择特定的靶材即可实现掺杂氧化物薄膜的制备，方法简便有效；不涉及薄膜的二次处理，不会对已制备的高质量薄膜造成破坏。
主权项：1.一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：清洗衬底，将衬底至于脉冲激光沉积设备腔体内，通入氧气和氮气的混合物，待腔内气氛均匀稳定后，以氧化物的纯靶材，在衬底上进行脉冲激光沉积，沉积完成后，在同种气氛环境下进行退火；脉冲激光沉积的条件参数为：温度380~420℃，腔内总气压15~25mTorr，激光能量密度1.0~1.2Jcm2，脉冲频率10Hz；所述氧化物为二氧化钒，所述衬底的材质为二氧化钛。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳) 一种原位氮掺杂外延氧化物单晶薄膜的制备方法
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