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申请/专利权人：季华实验室
摘要：本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
主权项：1.一种集成式分子束外延坩埚制作方法，用于制作分子束外延坩埚，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在所述芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在所述第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使所述加热丝紧贴固定在所述第一热解氮化硼层表面；S4、在所述第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，所述第二热解氮化硼层完全覆盖所述加热丝；S5、氧化消除所述芯轴组件；所述芯轴组件呈圆柱状，步骤S3包括：S31、将加热丝折弯为圆环形，且外径小于所述第一热解氮化硼层外径；S32、将折弯后的加热丝拉伸套接在所述第一热解氮化硼层外周；S33、基于工装夹具固定加热丝的引线；所述芯轴组件包括基体和柱体，所述柱体可拆卸地安装在所述基体一端；步骤S5包括：S51、拆除所述基体上的柱体，使所述基体具有外露的柱孔；S52、朝所述柱孔通入氧化气体以逐步氧化消除所述基体。
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