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申请/专利权人：南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片，所述生长方法包括以下步骤：S1、碳化硅衬底清洗，使用特定混合比例的溶液对衬底进行两次清洗；S2、衬底载入反应腔；S3、进行第一次刻蚀；S4、进行第二次刻蚀；S5、生长第一层缓冲层；S6、生长第二层缓冲层；S7、生长主外延层；S8、外延生长完成，取出外延片。本发明通过使用清洗溶液对碳化硅衬底进行两次清洗，消除衬底表面的颗粒和金属离子，提升衬底表面质量，从而减少外延过程中生成浅三角形缺陷的数量。
主权项：1.一种改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、先使用氨水、双氧水、纯水的混合溶液对衬底第一次漂洗，漂洗后用纯水冲洗，再用盐酸、双氧水、纯水的混合溶液对衬底第二次漂洗，漂洗后用纯水冲洗，将衬底甩干备用；S2、将衬底放置于载盘中并传送至反应腔内，设置反应腔温度及压力参数至预设值；S3、向反应腔内通入氢气、HCl气体，通入Ar气使气浮托盘旋转，保持氢气、HCl气体、Ar气的气流稳定并持续预设时长，对衬底表面进行第一次刻蚀；S4、将反应腔内升温，向反应腔内通入氢气，再将反应腔内降温至缓冲层反应温度，对衬底表面进行第二次刻蚀；S5、向反应腔内通入硅源、中心碳源、边路碳源、掺杂源N2及用于稀释掺杂源N2的氢气，生长第一层缓冲层；S6、提升反应腔内通入的硅源、中心碳源流量，关闭边路碳源，生长第二层缓冲层；S7、继续提升硅源、中心碳源流量，生长主外延层；S8、外延生长完成，关闭反应气体，取出外延片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京国盛电子有限公司 南京盛鑫半导体材料有限公司 改善碳化硅外延层表面缺陷密度的生长方法及所得外延片
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