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申请/专利权人：香港中文大学(深圳)
摘要：本发明涉及一种磁隧道结的测试方法和测试系统。上述测试方法包括如下步骤：在基材的同一侧的不同位置处分别溅射靶材，以在基材上沉积多个薄膜样品，每个薄膜样品之间相互间隔且每个薄膜样品沉积时的工艺参数不同；对基材进行微纳加工处理，在每个薄膜样品上形成一个霍尔条，每个霍尔条包括多个相互间隔的子条，子条的数量、间距及尺寸与CIPT测试设备所用的探针的数量、间距及尺寸均相同；将霍尔条的每个子条分别引出一个电极，对薄膜样品的电磁特性进行测试上述磁隧道结的测试方法的效率高、成本低，能够快速高效摸索得到制备磁隧道结的最优的工艺参数。
主权项：1.一种磁隧道结的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：在基材的同一侧的不同位置处分别溅射靶材，以在所述基材上沉积多个薄膜样品，每个所述薄膜样品之间相互间隔且每个所述薄膜样品沉积时的工艺参数不同，每个所述薄膜样品均包括依次层叠的第一磁性薄膜、绝缘薄膜和第二磁性薄膜；对所述基材进行微纳加工处理，在每个所述薄膜样品上形成一个霍尔条，每个所述霍尔条包括多个相互间隔的子条，所述子条的数量、间距及尺寸与CIPT测试设备所用的探针的数量、间距及尺寸均相同；及将所述霍尔条的每个所述子条分别引出一个电极，对所述薄膜样品的电磁特性进行测试；其中，所述在基材的同一侧的不同位置处分别溅射靶材，以在所述基材上沉积多个薄膜样品的步骤包括：将设有小孔的挡板置于所述基材和所述靶材之间，对所述靶材进行溅射，同时使所述基材自转，使靶材粒子通过所述小孔在所述基材上沉积一个环形的薄膜样品；移动所述挡板，调整溅射的工艺参数，继续对所述靶材进行溅射，使靶材粒子通过所述小孔在所述基材上沉积另一个环形的薄膜样品；重复所述移动所述挡板，调整溅射的工艺参数，继续对所述靶材进行溅射的步骤，以在所述基材上沉积多个薄膜样品，每个所述薄膜样品之间相互间隔形成同心圆环，且每个所述薄膜样品沉积过程中的工艺参数不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港中文大学(深圳) 磁隧道结的测试方法和测试系统
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