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申请/专利权人：乐金显示光电科技(中国)有限公司
申请日：2024-10-15
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119320938A
专利技术分类：..向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法[2006.01]
专利摘要：本发明属于化学气相沉积技术领域，公开了一种CVD沉积装置，包括加速管道，加速管道包括绝缘管体和电源，绝缘管体的进口端与进气管道的出口端相连接，绝缘管体的进口端设置有金属阴极，反应物通过金属阴极进入绝缘管体内，金属阴极向绝缘管体的出口端的方向延伸，绝缘管体的出口端设置有金属阳极，电源的负极端与金属阴极相连接，电源的正极端与金属阳极相连接，电源选择性地使金属阴极和金属阳极通电断电。CVD沉积装置通过在反应物进入反应腔室内，由电极模块将反应物电离成等离子体状态之前，反应物在经过加速管道时率先进行了一次电离，而后再进入反应腔室进行第二次电离，提高了CVD膜沉积率，减小了沉积时间保障生产效率。
专利权项：1.CVD沉积装置，包括反应腔室以及与所述反应腔室相连通的进气管道，其特征在于，还包括加速管道，所述加速管道包括绝缘管体和电源，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端相连接，所述绝缘管体的进口端设置有金属阴极，反应物通过所述金属阴极进入所述绝缘管体内，所述金属阴极向所述绝缘管体的出口端的方向延伸，所述绝缘管体的出口端设置有金属阳极，所述电源的负极端与所述金属阴极相连接，所述电源的正极端与所述金属阳极相连接，所述电源选择性地使所述金属阴极和所述金属阳极通电断电。
百度查询： 乐金显示光电科技(中国)有限公司 CVD沉积装置
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