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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011208930.8，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件是由金载勋;西门浚;李修亚;金亨沃设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：多个标准单元，设置在平行于衬底的上表面的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上，所述多个标准单元当中的每个标准单元包括有源区域、设置为与所述有源区域交叉的栅极结构、在所述栅极结构两侧设置在所述有源区域上的源极区域和漏极区域、以及电连接到所述有源区域和所述栅极结构的多条第一互连线；多个填充单元，设置在所述多个标准单元的部分之间，所述多个填充单元当中的每个填充单元包括填充有源区域和设置为与所述填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在所述多个标准单元和所述多个填充单元上，所述布线结构包括多条第二互连线，所述多条第二互连线将所述多个标准单元当中的不同标准单元的相应多条第一互连线彼此电连接，其中，所述多条第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。