武汉凯芯通半导体技术有限公司宋来富获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉凯芯通半导体技术有限公司申请的专利一种方便安装的等离子电极获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222827408U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421765846.X,技术领域涉及:H05H1/24;该实用新型一种方便安装的等离子电极是由宋来富;董新平;毛正茂设计研发完成,并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种方便安装的等离子电极在说明书摘要公布了:本实用新型涉及电极领域,具体为一种方便安装的等离子电极,其包括:阳极固定件,阳极固定件底部设置钨头;阴极主体,位于钨头下方,阴极主体外周面上从下往上依次设置密封环a、密封环b和密封环c,密封环a抵住气室底部实现密封,密封环c抵住冷却降温室顶部进行密封,密封环b和密封环c之间设置多个散热环;以及中部密封机构,设置在密封环b上,中部密封机构抵住气室顶部进行密封。本实用新型在安装时,密封环a抵在气室底部,实现底部密封,环形密封圈a抵在气室顶部,或者说冷却降温室的底部,实现中部密封,最后将冷却降温室顶盖定位盖在密封环c上,完成顶部密封。对气室和冷却降温室的密封安装,简单方便。
本实用新型一种方便安装的等离子电极在权利要求书中公布了:1.一种方便安装的等离子电极,其特征在于,包括:阳极固定件1,阳极固定件1底部设置钨头2;阴极主体3,位于钨头2下方,阴极主体3顶部和钨头2之间存在间距,阴极主体3外周面上从下往上依次设置密封环a6、密封环b7和密封环c8,密封环a6、密封环b7和密封环c8直径逐渐增大,密封环a6和密封环b7之间且位于阴极主体3外侧空间为气室22,密封环b7和密封环c8之间且位于阴极主体3外侧空间为冷却降温室21,密封环a6抵住气室22底部实现密封,密封环c8抵住冷却降温室21顶部进行密封,密封环b7和密封环c8之间设置多个散热环23;以及中部密封机构,设置在密封环b7上,中部密封机构抵住气室22顶部进行密封。
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