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申请/专利权人：上海南芯半导体科技有限公司

摘要：一种高精度的模拟乘除法器，属于模拟芯片设计技术领域。本发明分别基于NPN型三极管和PNP型三极管设计了对应的模拟乘除法器实现电路，通过重新设计电流在三极管的灌入点，并引入一个控制模块进行电流环路控制使得输入电流流入三极管集电极时保持三极管集电极电压稳定，确保第一输入电流、第二输入电流、第三输入电流以及输出电流分别能够全部且唯一地从四个三极管的集电极输入，以消除传统模拟乘除法器中由于基区电流的存在以及匹配导致的精度受限问题，实现高精度。相比传统乘除法器电路而言，本发明还大大减小了芯片设计面积和电路硬件开销。

主权项：1.一种高精度的模拟乘除法器，其特征在于，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和控制模块，第一NPN型三极管的集电极连接第一NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极和第一输入信号Ia，其基极连接第一NMOS管的源极、第二NPN型三极管的发射极和第一偏置电流，其发射极连接第四NPN型三极管的发射极并接地；第二NPN型三极管的集电极连接第二NMOS管的栅极和第二输入信号Ib，其基极连接第三NPN型三极管的基极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第二偏置电流；第一NMOS管和第二NMOS管的漏极连接电源电压；第三NPN型三极管的集电极连接第三NMOS管的栅极和第三输入信号Ic，其发射极连接第四NPN型三极管的基极；当第三输入信号Ic输入第三NPN型三极管的集电极时，第三NPN型三极管的集电极电压增大导致第三NMOS管流过电流；所述控制模块的输入端连接第三NMOS管的漏极，其输出端连接第三NPN型三极管的发射极；所述控制模块用于采样流过第三NMOS管的电流并根据采样结果控制第三NPN型三极管的集电极电压下降，使得第三NPN型三极管的集电极电压保持稳定且第三NPN型三极管的集电极电流始终为第三输入信号Ic的电流值；第四NMOS管的源极连接第四NPN型三极管的集电极，其漏极输出所述模拟乘除法器的输出信号Iout=IaxIb÷Ic；所述控制模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，第八PMOS管的栅漏短接并连接第三NMOS管的漏极和第七PMOS管的栅极，其源极连接第七PMOS管的源极并连接电源电压；第六NMOS管的栅极连接第五NMOS管的栅极和漏极以及第七PMOS管的漏极，其源极连接第五NMOS管的源极并接地，其漏极连接第三NPN型三极管的发射极。

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