申请/专利权人：杭州广立微电子股份有限公司

申请日：2021-04-13

公开（公告）日：2022-09-06

公开（公告）号：CN113283291B

主分类号：G06V30/422

分类号：G06V30/422;G06V10/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.06#授权;2021.09.07#实质审查的生效;2021.08.20#公开

摘要：本发明提供了一种版图中Finger晶体管的识别方法，包括：对多晶硅层和有源区层的多边形进行“AND操作”得到的多边形，并将得到的每个多边形作为备选Gate加入备选Gate列表；从所述备选Gate列表中取备选Gate作为当前备选Gate，识别出当前备选Gate的相关Gate，并利用识别出的相关Gate判断当前备选Gate是否为Finger晶体管中的Gate，若是，则识别出所述Finger晶体管的源极、漏极和栅极；直至对备选Gate列表中的所有备选Gate完成处理，识别出所有Finger晶体管。步骤简洁，准确性好，能快速识别出Finger晶体管的栅极、源极、漏极，为制造厂商进行设计生产提供更有效和精确的指导。

主权项：1.一种版图中Finger晶体管的识别方法，其特征在于，包括：步骤S1：获取版图信息，对多晶硅层和有源区层的多边形进行“AND操作”，将“AND操作”后得到的多边形作为备选Gate加入备选Gate列表；其中，所述“AND操作”是指获取两层多边形的重叠区域图形的操作；步骤S2：依次从所述备选Gate列表中取备选Gate作为当前备选Gate，识别出当前备选Gate的相关Gate，并利用识别出的相关Gate判断当前备选Gate是否为Finger晶体管中的Gate，若是，则识别出所述Finger晶体管的源极、漏极和栅极；直至对备选Gate列表中的所有备选Gate完成处理，实现在版图中识别出所有Finger晶体管；识别出当前备选Gate所在Finger晶体管中的源极、漏极和栅极，具体包括：识别与所述当前备选Gate存在重叠区域的有源区层的多边形，并对所述有源区层的多边形和所述当前备选Gate进行“OR操作”，将得到的图形和有源区层的多边形进行“AND操作”，将得到的图形和多晶硅层的多边形进行“MINUS操作”，将得到的图形记为图形h；其中，所述“OR操作”是指对两个多边形图形取并集以得到图形的操作；所述“MINUS操作”是指将前一个图形减去后一个图形得到新图形的操作；将所述备选Gate列表中的所有备选Gate与当前备选Gate的相关Gate进行“AND操作”后，得到若干备选Gate组成的图形并记为图形g；识别出图形h中和图形g相连的多边形并记为图形i；从图形i中找出其中一个多边形，将所述多边形确定为所述Finger晶体管的源极或漏极，然后确定图形i中其余多边形为所述Finger晶体管的源极或漏极；使其满足图形i中任意两个相邻的多边形，一个为所述Finger晶体管的源极，另一个为所述Finger晶体管的漏极；图形g中的每个多边形即为所述Finger晶体管的栅极；完成对当前备选Gate所在Finger晶体管中的源极、漏极和栅极的识别。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州广立微电子股份有限公司 一种版图中Finger晶体管的识别方法

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